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二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法

基本信息

申请号 CN201310280220.X 申请日 -
公开（公告）号 CN103367429B 公开（公告）日 2015-10-28
申请公布号 CN103367429B 申请公布日 2015-10-28
分类号 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 马晓华;郝跃;汤国平;陈伟伟;赵胜雷 申请（专利权）人 云南凝慧电子科技有限公司
代理机构 陕西电子工业专利中心 代理人 王品华;朱红星
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和漏极，钝化层位于源极和漏极之间的势垒层上，该钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；缓冲层采用GaN，势垒层采用AlGaN；缓冲层上刻蚀有若干周期性排列的宽度为纳米量级的量子线凹槽和量子线凸台，在量子线凹槽和量子线凸台正下方异质结中形成一维电子气。本发明与Si基和GaAs基一维电子气器件相比，具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。