首页/ 云南凝慧电子科技有限公司/ 专利详情

基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法

基本信息

申请号 CN201310280216.3 申请日 -
公开（公告）号 CN103367428B 公开（公告）日 2015-10-28
申请公布号 CN103367428B 申请公布日 2015-10-28
分类号 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 马晓华;陈伟伟;汤国平;郝跃;赵胜雷 申请（专利权）人 云南凝慧电子科技有限公司
代理机构 陕西电子工业专利中心 代理人 王品华;朱红星
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和漏极，钝化层位于源极和漏极之间的势垒层上，该钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极。势垒层上刻蚀有若干均匀排列的量子线凹槽，得到若干宽度为纳米量级的量子线凸台，在量子线凸台的异质结中形成一维电子气。缓冲层采用GaN；势垒层采用AlGaN。本发明与Si基和GaAs基器件相比，具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。