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加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN201410025516.1 申请日 -
公开（公告）号 CN103779406B 公开（公告）日 2016-05-04
申请公布号 CN103779406B 申请公布日 2016-05-04
分类号 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 冯倩;杜锴;马晓华;郑雪峰;代波;郝跃 申请（专利权）人 云南凝慧电子科技有限公司
代理机构 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 代理人 董芙蓉
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、源场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维电子气浓度的硅化物，所述的源电极、漏电极以及绝缘层位于AlGaN掺杂层之上，栅电极和硅化物位于绝缘层之上，源场板与源电极电连接，所述硅化物会对绝缘层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层引入压应力，位于硅化物之间的本征AlGaN层和AlGaN掺杂层受到张应力，通过使块间距小于块宽度，使得本征AlGaN层和AlGaN掺杂层总体获得张应力，从而使沟道中2DEG得到增强。