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一种基于槽栅高压器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN201410033269.X	申请日	-
公开（公告）号	CN103794643B	公开（公告）日	2016-03-02
申请公布号	CN103794643B	申请公布日	2016-03-02
分类号	H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	冯倩;杜锴;马晓华;郑雪峰;代波;郝跃	申请（专利权）人	云南凝慧电子科技有限公司
代理机构	北京世誉鑫诚专利代理事务所（普通合伙）	代理人	郭官厚
地址	710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于槽栅高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的部分区域上方外延有线性AlGaN层，线性AlGaN层的部分区域上方外延有p-GaN层，P-GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。本发明在器件导通时的导通电阻得到减小，而在截止状态时的击穿电压得到提高，兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小，同时采用槽栅结构，增强了栅极对沟道2DEG的调控作用，提高了器件的频率性能。