HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法
基本信息
| 申请号 | CN201410319025.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104062485B | 公开（公告）日 | 2016-08-17 |
| 申请公布号 | CN104062485B | 申请公布日 | 2016-08-17 |
| 分类号 | G01R19/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 郑雪峰;范爽;孙伟伟;张建坤;康迪;王冲;杜鸣;曹艳荣;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人 | 云南凝慧电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，主要解决现有技术不能对HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流分离的问题。其实现方案是：制作与被测HEMT器件结构相同，栅电极和源漏电极宽度均为被测HEMT器件α倍的测试辅助器件，α>0且α≠1；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流；将被测HEMT器件的栅泄漏电流乘以α倍与HEMT测试辅助器件栅泄漏电流作差，将结果除以(α?1)项，得到被测HEMT器件的台面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析栅泄漏电流中台面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。 |
