基于a面6H-SiC衬底上a面GaN缓冲层上InN半导体器件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310237610.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103320764B | 公开（公告）日 | 2015-10-21 |
| 申请公布号 | CN103320764B | 申请公布日 | 2015-10-21 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 许晟瑞;曹荣涛;张进成;郝跃;哈微;葛莎莎 | 申请（专利权）人 | 云南凝慧电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于a面6H-SiC衬底上a面GaN缓冲层上InN半导体器件的制备方法，步骤是：（1）将a面6H-SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；（2）在a面SiC衬底上生长厚度为100-200nm，温度为600-800℃的无应力AlInN成核层；（3）在所述无应力AlInN成核层之上生长厚度为1000-2000nm，镓源流量为5-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的高V-Ш比a面GaN缓冲层；（4）在GaN缓冲之上用PECVD在200-250℃淀积3-9s的SiNx插入层；（5）在SiNx插入层之上生长厚度为2000-4000nm，镓源流量为50-200μmol/min，氨气流量为1000-3000sccm的低V-Ш比a面GaN缓冲层；（6）在缓冲层上再生长厚度为15-30nm，铟源流量为90-250μmol/min，氨气流量为1000-5000sccm的InN材料。本发明具有质量高、表面平整的优点，可用于制作InN基发光器件。 |
