一种高精度γ射线传感器的硅芯片工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202011631036.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112786733A | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN112786733A | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | H01L31/119;H01L31/0312;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何少伟;马敏辉;宋召海 | 申请（专利权）人 | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京邦创至诚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张宇锋 |
| 地址 | 100744 北京市大兴区经济技术开发区地盛西路6号院3号楼3层302-2 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高精度γ射线传感器的硅芯片工艺方法，采用SiC厚氧化层工艺，便于产品工艺得到工程化应用。本申请中的硅芯片在N型SiC材料上制作，为耗尽型金属栅MOS管，表面用铝作为栅极和引线极，通过干法腐蚀工艺形成γ射线传感器硅芯片几何结构。感应芯片和基准芯片通过焊锡贴于金属基板，金属基板接地。栅极和源极接地，感应芯片和基准芯片漏极通过恒流源注入相同的电流，输出端将由辐照剂量的不同输出不同的电压信号。 |
