一种引线框架及采用该引线框架的功率模块和制造方法
基本信息
申请号 | CN202011628486.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112736058A | 公开(公告)日 | 2021-04-30 |
申请公布号 | CN112736058A | 申请公布日 | 2021-04-30 |
分类号 | H01L23/495;H01L25/07;H01L21/48 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 王志超 | 申请(专利权)人 | 华芯威半导体科技(北京)有限责任公司 |
代理机构 | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 张宇锋 |
地址 | 100744 北京市大兴区经济技术开发区地盛西路6号院3号楼3层302-2 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种引线框架及使用该引线框架的功率模块和制造该功率模块的方法,引线框架创新性地引入了连接块,从而实现一个引线端子的两路电连接,将该引线框架应用在双面散热功率模块中,可以实现电传导、热传导的功能;连接块采用与芯片热膨胀系数接近的材料,可以有效减小热应力,提升功率模块的寿命;通过在连接块的上部、下部预涂覆烧结材料,可以减少功率模块的工艺步骤和难度;上桥臂芯片、下桥臂芯片分别设置在相对的绝缘基板上,有效利用了散热面积,提升了散热效率,降低了功率模块的热阻;采用该引线框架直接将第一绝缘基板组件、第二绝缘基板组件直接烧结在一起,大大降低了制造的难度,使双面散热功率模块具备了批量制造的能力。 |
