一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202011631013.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112834083A | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN112834083A | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | G01L1/00;B81C1/00 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 何少伟;马敏辉;宋召海 | 申请（专利权）人 | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京邦创至诚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张宇锋 |
| 地址 | 100744 北京市大兴区经济技术开发区地盛西路6号院3号楼3层302-2 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了发明涉及一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法，其采用CMOS集成电路中常用的深槽刻蚀工艺，提高了芯片的灵敏度、采用<110>晶向硅衬底材料，降低了芯片的热阻系数，和压力传感器常规工艺相比提升了器件参数性能、降低了制作成本，同时本芯片工艺和MOS基准工艺兼容，工艺操作简单，降低加工成本，安全可靠，产品工艺易于推广应用。 |
