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一种改善SiC功率器件封装热均匀性的封装结构

基本信息

申请号 CN202011628481.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112670254A 公开（公告）日 2021-04-16
申请公布号 CN112670254A 申请公布日 2021-04-16
分类号 H01L23/373;H01L23/492;H01L25/11;H01L25/18 分类 基本电气元件;
发明人 何少伟;马敏辉;宋召海 申请（专利权）人 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
代理机构 北京邦创至诚知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 张宇锋
地址 100744 北京市大兴区经济技术开发区地盛西路6号院3号楼3层302-2
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种改善SiC功率器件封装热均匀性的封装结构，包括SiC芯片一、SiC芯片二、DBC上铜层一、DBC上铜层二、DBC上铜层三、DBC陶瓷层、DBC下铜层以及基板；所述DBC上铜层一、DBC上铜层二、DBC上铜层三以及所述DBC下铜层的表面均刻蚀镂空结构焊料层；所述SiC芯片一的上表面通过键合铝包铜带与所述DBC上铜层二上的所述镂空结构焊料层相连；所述SiC芯片二的上表面通过键合铝包铜带与所述DBC上铜层三上的所述镂空结构焊料层相连。本申请的封装结构散热均匀、可靠性高，键合铝包铜带导电性能好、寄生电感小，可以有效加固键合线的连接，提高SiC功率器件的使用寿命。