具有沟槽自对准PPlus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

具有沟槽自对准PPlus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构

基本信息

申请号	CN202022443064.2	申请日	-
公开（公告）号	CN212967714U	公开（公告）日	2021-04-13
申请公布号	CN212967714U	申请公布日	2021-04-13
分类号	H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	宋召海	申请（专利权）人	华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
代理机构	北京邦创至诚知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张宇锋
地址	100744北京市大兴区经济技术开发区地盛西路6号院3号楼3层302-2
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构，所述元胞结构的外延层包括n2 Epi区、P Plus epi区以及n1 Epi区，在所述n2 Epi区中设置有若干个均匀间隔的沟槽，所述沟槽的底部设置有将所述P Plus epi区隔离成自对准的肖特基区电场掩蔽层的N+区；所述沟槽的两侧设置有与掩埋P区相连的P+区，从而形成倒T型P Plus epi区；相邻的所述倒T型P Plus epi区将中间的肖特基区半包裹屏蔽住，实现肖特基区表面电场的减弱与屏蔽。该新型倒T型p plus结构SBD器件能起到良好的肖特基区电场屏蔽保护作用，能实现较大的肖特基区面积与pplus区域面积的比例，增加单位面积的电流密度，同时有效保护肖特基接触区和增强器件的抗浪涌能力。