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一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法

基本信息

申请号 CN200410100459.5 申请日 -
公开（公告）号 CN1664176A 公开（公告）日 2005-09-07
申请公布号 CN1664176A 申请公布日 2005-09-07
分类号 C30B11/00;C30B29/16 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王宁会;王晓臣;黄耀;戚栋;吴彦;李国锋 申请（专利权）人 大连理工大学科技园有限公司
代理机构 大连理工大学专利中心 代理人 侯明远
地址 116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到金属氧化物晶体制备方法，特别涉及到一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法。以申请人的发明申请《一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉》中公布的电弧炉为实施基础，以从感温设备得到的数据和预设的温度场方程计算得到的炉内温度状态作为进行电弧和冷却设备操作的依据，通过电弧和冷却设备的配合工作在炉中形成适宜晶体生长的温度场。本发明的效果和益处是，提出的氧化镁晶体制备方法可以提供适宜的晶体生长环境，大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，有效的节省了能源，显著地降低了成本。另外，该技术也可以用来生长其他高温晶体。