一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉

基本信息

申请号 CN200410100460.8 申请日 -
公开(公告)号 CN1632435A 公开(公告)日 2005-06-29
申请公布号 CN1632435A 申请公布日 2005-06-29
分类号 F27B3/08;F27B3/12;C04B2/00 分类 炉;窑;烘烤炉;蒸馏炉〔4〕;
发明人 王宁会;王晓臣;黄耀;戚栋;吴彦;李国锋 申请(专利权)人 大连理工大学科技园有限公司
代理机构 大连理工大学专利中心 代理人 大连理工大学;辽宁中大超导材料有限公司
地址 116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于晶体制备装置技术领域,涉及到一种制备氧化镁晶体的电熔装置,特别涉及到一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉。本发明通过对保温材料,水冷设备,感温探头和计算机控制技术的综合运用来产生适宜晶体生长的温度场。依靠探头采集的数据和预先设定的温度场方程,计算机发出冷却机构和电弧功率和位置的控制信号并送到相应的执行机构,完成对炉内温度场的调节。本发明的效果和益处是依据本发明设计的电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量,同时提高了电能的利用率有效地降低了成本。另外,该技术也可用于生产其他高温晶体。