一种用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法
基本信息
| 申请号 | CN200410021334.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1560331A | 公开（公告）日 | 2005-01-05 |
| 申请公布号 | CN1560331A | 申请公布日 | 2005-01-05 |
| 分类号 | C30B29/16;C30B11/02;C01F5/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王宁会;黄耀;戚栋;范卫东;吴彦 | 申请（专利权）人 | 大连理工大学科技园有限公司 |
| 代理机构 | 大连理工大学专利中心 | 代理人 | 侯明远 |
| 地址 | 116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到晶体生长科学与技术，尤其是用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法。本发明的特征是用菱镁矿石为原料，以冷坩埚为炉体，先焙烧菱镁矿石，经选别制取三种轻烧氧化镁按比例混合，放入冷坩埚炉体中，采用三相交流电熔法加热，控制升温、恒温和降温曲线，即可获得象水晶一样晶莹剔透高雅大方的立方氧化镁晶体。本发明的效果和益处是其生长方法简单，易于掌握，工艺稳定，是新一代高科技产品。 |
