一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉
基本信息
| 申请号 | CN200510046477.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1304649C | 公开（公告）日 | 2007-03-14 |
| 申请公布号 | CN1304649C | 申请公布日 | 2007-03-14 |
| 分类号 | C30B35/00(2006.01);F27B3/08(2006.01);F27D11/08(2006.01) | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王宁会;王晓臣;黄耀;范卫东 | 申请（专利权）人 | 大连理工大学科技园有限公司 |
| 代理机构 | 大连理工大学专利中心 | 代理人 | 侯明远 |
| 地址 | 116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁单晶的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉。其特征是本发明电弧炉的炉壳为中间带有气隙的双层椭圆柱形结构，电弧加热系统由直流冶炼电源、电极升降系统以及两根垂直安装的石墨电极构成，整个炉体为立式结构。本发明的效果和益处是电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时降低了对电网的冲击，提高了电能的利用率。另外，本发明也可适用于生产其他高温晶体。 |
