一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备
基本信息
| 申请号 | CN201610064770.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107022741A | 公开（公告）日 | 2017-08-08 |
| 申请公布号 | CN107022741A | 申请公布日 | 2017-08-08 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 渠洪波 | 申请（专利权）人 | 沈阳科友真空技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 110000 辽宁省沈阳市苏家屯区沙河铺镇鲍家村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，涉及一种真空溅射镀膜技术领域。该发明包括真空室、上盖升降机构和电源，真空室内设置有阴极钨丝、磁极板、磁控靶和工件台，阴极钨丝通过灯丝固定柱固定在真空室的顶端中心处，阴极钨丝围绕真空室的中心处有序排列，磁极板包括上磁极板和下磁极板，上磁极板设置在真空室的顶端，下磁极板设置在真空室的底端，工件台位于下磁极板的上方，磁控靶包括左磁控靶和右磁控靶，左磁控靶设置在真空室的左端，右磁控靶设置在真空室的右端，左磁控靶和右磁控靶相对设置。本发明设计一个能够增加电子数，并通过磁场束缚电子运动轨迹，进一步增加电子与膜材原子或分子碰撞几率从而提高离化率的设备。 |
