一种极高靶材利用率的镀膜设备
基本信息
| 申请号 | CN201610065026.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107022742A | 公开（公告）日 | 2017-08-08 |
| 申请公布号 | CN107022742A | 申请公布日 | 2017-08-08 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 渠洪波 | 申请（专利权）人 | 沈阳科友真空技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 110000 辽宁省沈阳市苏家屯区沙河铺镇鲍家村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种极高靶材利用率的镀膜设备，涉及一种真空溅射镀膜技术领域。该发明包括真空室，其中，还包括管状靶材、偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源，管状靶材设置在真空室内，偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源均设置在真空室外，管状靶材上缠绕有水冷线圈，管状靶材的上方设置有第一工件台，管状靶材的下方设置有第二工件台，偏压电源与第一工件台连接，直流线圈电源与水冷线圈连接，镀膜电源与管状靶材连接。本发明极大提高靶材利用率，提高镀膜速率，同时通过电磁线圈产生的磁场束缚电子运动轨迹，使电子与膜材离子的运动路径延长，进一步增加电子与膜材原子或分子碰撞几率，从而提高离化率。 |
