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一种超高精度的硅象限光电探测器

基本信息

申请号	CN202010762493.8	申请日	-
公开（公告）号	CN112054075A	公开（公告）日	2020-12-08
申请公布号	CN112054075A	申请公布日	2020-12-08
分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/103(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	卜京;王亚赫;卜晖;朱华海	申请（专利权）人	重庆鹰谷光电股份有限公司
代理机构	重庆百润洪知识产权代理有限公司	代理人	重庆鹰谷光电股份有限公司
地址	400000重庆市经开区丹龙路7号E幢
法律状态	-

摘要

本发明公开一种超高精度的硅象限光电探测器，在各象限光敏元之间及其周围的衬底表面设置一个环极，该环极是用与衬底同型杂质，并与衬底背面电极同时扩散或注入形成的高低结，该环极通过引线与衬底背面的各象限光敏元的公共电极直接相连；在“双四”象限光电探测器的“内四”与“外四”象限光敏元之间不设置环极，在“单四”象限光电探测器的光敏元外沿所对应的环极中央部位，开设一个宽度为该光敏元外沿弧长的1/2～1/4的缺口。当带有环极缺口的该光敏元光照较强时，光敏元所产生的部分光生载流子，可以经电子通道分别进入“双四”的“外四”光敏元和“单四”光敏元周边的隔离二极管，从而提高光电探测器的饱和光功率，实现制导系统“深控”的目的。