用于超级电容器的高负载量NiCo-MOF/NF纳米片电极的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210368574.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114694980A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114694980A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01G11/86（2013.01）I;H01G11/36（2013.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 卫润楣;史雪荣;徐书生;黄思敏;王奕洁;弓文君 | 申请（专利权）人 | 上海工程技术大学 |
| 代理机构 | 上海统摄知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 201620上海市松江区龙腾路333号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于超级电容器的高负载量NiCo‑MOF/NF纳米片电极的制备方法，以Co（OH）2为模板，利用对苯二甲酸和/或均苯三甲酸作为配体，在泡沫镍NF片上原位生长NiCo‑MOF纳米片，得到所述高负载量NiCo‑MOF/NF纳米片电极；所述泡沫镍NF片上NiCo‑MOF纳米片的负载量为10～16.1mg cm‑2；在电流密度为1mA·cm‑2的情况下，高负载量NiCo‑MOF/NF纳米片电极的面积比电容为1.38～5.84F·cm‑2。本发明制得的高负载量NiCo‑MOF纳米片电极的负载量高且超薄，该NiCo‑MOF/NF纳米片电极与还原氧化石墨烯组装的超级电容器具有能量密度高、循环稳定性好的特点。 |
