预埋牺牲层结构的谐振器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210097612.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114465596A | 公开（公告）日 | 2022-05-10 |
| 申请公布号 | CN114465596A | 申请公布日 | 2022-05-10 |
| 分类号 | H03H9/15（2006.01）I;H03H9/13（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 孙成亮;卢亮宇;刘文娟;刘婕妤;徐沁文;谷曦宇;蔡耀 | 申请（专利权）人 | 宁波华彰企业管理合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 315832浙江省宁波市北仑区梅山七星路88号1幢401室A区E2025 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种预埋牺牲层的谐振器及其制备方法，包括：在衬底层的上表面形成凹槽，凹槽中填有牺牲层，牺牲层上表面有电极层，电极层之间及其周围由键合层填充，最上层是压电层。其中压电层通过键合技术和离子注入技术，转移至带图形化电极的衬底上，并采用其余适宜的半导体工艺进行制备。可缩小谐振器结构尺寸，稳定性能，提高谐振器结构的产率、稳定性与牢固性。 |
