伪模态抑制型射频谐振器结构
基本信息
| 申请号 | CN202110012423.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112821878B | 公开（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申请公布号 | CN112821878B | 申请公布日 | 2022-06-14 |
| 分类号 | H03H9/02（2006.01）I;H03H9/17（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 孙成亮;周杰;邹杨;刘炎;林炳辉;徐沁文;谷曦宇;罗天成;高超 | 申请（专利权）人 | 宁波华彰企业管理合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 315832 浙江省宁波市北仑区梅山七星路88号1幢401室A区E2025 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种伪模态抑制型射频谐振器结构。包括下电极层、压电层、上电极层、凹陷上电极层、凸起压电层、凹陷压电层。其中，凹陷上电极层位于交叠区域处；凸起压电层位于外部区域处，且比有效区域高；凹陷压电层位于外部区域处，位于所述凸起压电层之间。本发明申请通过调整凹陷上电极层、凸起压电层、凹陷压电层的深度、宽度和位置关系，能够使谐振器满足谐振频率关系为：f外部区域＜f有效区域＜f交叠区域，进而可以有效抑制阻抗曲线上的伪模态和高阶模态，提高谐振器的机电耦合系数和品质因子，进而提升谐振器的整体性能。 |
