高发射性能的MEMS超声换能器
基本信息
申请号 | CN202110034536.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112871614B | 公开(公告)日 | 2022-03-15 |
申请公布号 | CN112871614B | 申请公布日 | 2022-03-15 |
分类号 | B06B1/06(2006.01)I | 分类 | 一般机械振动的发生或传递; |
发明人 | 孙成亮;朱伟;吴志鹏;王磊;林炳辉;胡博豪 | 申请(专利权)人 | 宁波华彰企业管理合伙企业(有限合伙) |
代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 郑勤振 |
地址 | 315832 浙江省宁波市北仑区梅山七星路88号1幢401室A区E2025 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及高发射性能的MEMS超声换能器,通过在超声换能器上设置深槽提高发射声压或者带宽,其中深槽的分布方式包括以下三种:一个或多个深槽贯穿超声换能器压电层、下电极、无源层、SiO2层,并一直延伸到衬底内;超声换能器远离衬底的上表面键合一层硅层,正对超声换能器的振膜的部分设置有贯通硅层作为波导的开口,一个或多个深槽分布在波导的周围;一个或多个深槽分布在倒装结构超声换能器衬底刻蚀的背腔周围。超声换能器发射的声波经过深槽时会引起深槽内的介质振动,这种振动会在超声换能器振膜上产生一个附加声场,通过调节深槽的尺寸,可以调节附加声场,从而调节超声换能器的发射声压、带宽、指向性等发射性能。 |
