薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201511019482.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105514198A | 公开（公告）日 | 2016-04-20 |
| 申请公布号 | CN105514198A | 申请公布日 | 2016-04-20 |
| 分类号 | H01L31/0445(2014.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0264(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘艳云;顾光一;冯叶;冯丽丽;童君;马续航;宋秋明;杨春雷;肖旭东 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术学院 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 深圳先进技术研究院;中国科学院深圳先进技术研究院;中国科学院大学深圳先进技术学院 |
| 地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜太阳能电池，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层和透明导电层，缓冲层包括多层子缓冲层，子缓冲层为Zn1-xMgxO，其中0≤x≤t，0.2≤t≤0.4，随光吸收层至透明导电层的方向上，多层子缓冲层的x值在0～t内逐渐减小。上述缓冲层的一侧为ZnO，另一侧为Zn1-tMgtO。Zn1-tMgtO的导带底略高于CIGS吸收层的导带，ZnO的能带与透明导电层的能带完美对接，因此减少了缓冲层与吸收层界面处的载流子复合，提高了开路电压。同时避免了缓冲层的导带底显著高于CIGS吸收层的导带形成较高的电子势垒，进而阻碍电子的运输导致短路电流密度降低的问题，可使薄膜太阳能电池的开路电压与短路电流密度共同提高。本发明还提供了薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法。 |
