借助少子寿命表征硅片吸除金属杂质效率的装置和方法
基本信息
| 申请号 | CN202111633459.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114509450A | 公开（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申请公布号 | CN114509450A | 申请公布日 | 2022-05-17 |
| 分类号 | G01N22/00（2006.01）I;G01R21/00（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 金铉洙 | 申请（专利权）人 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安维英格知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 710100陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种借助于少子寿命表征硅片吸除金属杂质效率的装置和方法，该装置包括：清洗模块，所述清洗模块经配置为准备待测硅片并清洗所述硅片；少子寿命测量模块，所述少子寿命测量模块经配置为测量所述硅片的少子寿命；热处理模块，所述热处理模块经配置为针对所述硅片进行热处理；计算器模块，所述计算器模块经配置为记录并计算所述少子寿命测量模块的测量值，并根据所述测量值间接计算所述硅片的捕获金属杂质效率。 |
