一种基于MEMS热电堆的可见光收发集成器件及其制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于MEMS热电堆的可见光收发集成器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN202010764920.6	申请日	-
公开（公告）号	CN111739881B	公开（公告）日	2020-10-02
申请公布号	CN111739881B	申请公布日	2020-10-02
分类号	H01L25/16(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	刘桂芝;何云;王冬峰	申请（专利权）人	上海南麟集成电路有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	上海南麟集成电路有限公司
地址	201306上海市浦东新区环湖西二路888号C楼
法律状态	-

摘要

本发明提供一种基于MEMS热电堆的可见光收发集成器件及其制作方法，该器件包括衬底、缓冲层、多量子阱二极管及热电堆，其中，衬底中设有第一空腔；缓冲层中设有第二空腔；多量子阱二极管的N型GaN结构层的中间区域悬设于第二空腔上方，多量子阱结构层及P型GaN结构层位于N型GaN结构层的中间区域上方；热电堆分布于多量子阱二极管周围，包括多个串联的热电偶，热电偶包括N型GaN半导体臂及金属臂。本发明可利用一个多量子阱二极管结构同时实现光发射与光探测两种功能，从而提高器件集成度，减小系统的功耗与成本。本发明采用单片集成化的MEMS热电堆来控制多量子阱二极管的工作温度，与片外封装方案相比减小了体积，并可以实现芯片的局部温度调控。