一种带温度补偿的CMOS延迟电路
基本信息
| 申请号 | CN202110429615.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112994665A | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN112994665A | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H03K5/13 | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 杨荣彬;徐双恒;丁畅;夏涛;吴霜毅 | 申请（专利权）人 | 成都铭科思微电子技术有限责任公司 |
| 代理机构 | 成都其高专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 贾波 |
| 地址 | 610000 四川省成都市成华区崔家店路75号2栋1单元25层2501-2505号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种带温度补偿的CMOS延迟电路，包括NMOS管、PMOS管和温度补偿电阻，所述NMOS管的源极通过一温度补偿电阻接地，NMOS管的漏极和PMOS管的漏极共接且形成输出端，PMOS管的源极通过一温度补偿电阻连接电源，NMOS管的栅极和PMOS管的栅极共接且构成输入端；将CMOS延迟电路的延迟时间随温度的变化从完全由工艺决定变成了可设计。 |
