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深N阱电压动态控制电路

基本信息

申请号	CN201911267296.2	申请日	-
公开（公告）号	CN111049506A	公开（公告）日	2020-04-21
申请公布号	CN111049506A	申请公布日	2020-04-21
分类号	H03K17/10;H03K17/567	分类	基本电子电路;
发明人	杜翎;李昌红;吴霜毅	申请（专利权）人	成都铭科思微电子技术有限责任公司
代理机构	成都其高专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	成都铭科思微电子技术有限责任公司
地址	610000 四川省成都市成华区二环路东三段14号
法律状态	-

摘要

本发明公开了深N阱电压动态控制电路，包括PW电压选择电路和NMOS采样开关，还设置有电荷泵电路及DNW电压选择电路，所述NMOS采样开关的PW连接PW电压选择电路的输出、NMOS采样开关的DNW连接DNW电压选择电路的输出，PW电压选择电路的两个输入分别连接输入信号VIN和偏置电压VBULK，电荷泵电路的三个输入分别连接偏置电压VTOP、偏置电压VBOT和输入信号VIN，电荷泵电路的输出连接DNW电压选择电路的一个输入；DNW电压选择电路的另一个输入连接偏置电压VNS；根据NMOS采样开关工作状态，通过分时动态控制其DNW电压，有效降低了PW与DNW间寄生二极管的最大反偏电压，从而达到了提高输入信号电压范围的目的。