一种可调节翘曲的Vcsel外延结构
基本信息
申请号 | CN202121134870.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN215528189U | 公开(公告)日 | 2022-01-14 |
申请公布号 | CN215528189U | 申请公布日 | 2022-01-14 |
分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张新勇;杨绍林;刘浩飞;苑汇帛 | 申请(专利权)人 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄宗波 |
地址 | 404000重庆市万州区万州经开区高峰园檬子中路2号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及激光芯片技术领域,尤其涉及一种可调节翘曲的Vcsel外延结构,包括衬底,所述衬底上依次沉积有缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层,所述N型掺杂的DBR和P型掺杂的DBR中周期性设置有应力补偿层。本实用新型公开了一种可调节翘曲的Vcsel外延结构及其制备方法,通过周期性设置的应力补偿层,不仅能够减少整个外延层应力,提高外延层晶体质量,同时还能够降低外延片翘曲,提高外延片各参数的均匀性。 |
