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一种GaAs复合型纳米线的制备方法

基本信息

申请号 CN202111124370.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114038898A 公开（公告）日 2022-02-11
申请公布号 CN114038898A 申请公布日 2022-02-11
分类号 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 苑汇帛;张新勇;杨绍林;刘浩飞;孔凡军;郑鑫;张彬 申请（专利权）人 威科赛乐微电子股份有限公司
代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 代理人 黄宗波
地址 404000重庆市万州区万州经开区高峰园檬子中路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种GaAs复合型纳米线的制备方法，涉及纳米线制备方法技术领域。本发明的一种GaAs复合型纳米线的制备方法，所述制备方法在镀金膜步骤之前先对衬底进行预处理，得到图形衬底，所述预处理是在衬底上溅射镀上掩膜层后，再通过激光干涉光刻制备得到图形衬底，所述图形衬底的图形为孔阵结构。本发明的一种GaAs复合型纳米线的制备方法，能够制备得到分布、形貌可控的GaAs复合型纳米线，达到“一孔一线”的效果。