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一种红光VCSEL芯片及其制备方法

基本信息

申请号	CN202111275259.3	申请日	-
公开（公告）号	CN114122911A	公开（公告）日	2022-03-01
申请公布号	CN114122911A	申请公布日	2022-03-01
分类号	H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张新勇;刘浩飞;苑汇帛;杨绍林;郑鑫;张彬;宋世金	申请（专利权）人	威科赛乐微电子股份有限公司
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	黄宗波
地址	404000重庆市万州区万州经开区高峰园檬子中路2号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种红光VCSEL芯片及其制备方法，涉及激光芯片技术领域。本发明的一种红光VCSEL芯片，包括包括衬底，缓冲层、底部反射层、有源层、氧化限制层、顶部反射层和钝化层；所述底部反射层包括第一BOTTOM DBR层和第二BOTTOM DBR层，所述第一BOTTOM DBR层包括重叠生长的多对第一复合层，第二BOTTOM DBR层包括重叠生长的多对第二复合层，所述顶部反射层包括第一TOP DBR层和第二TOP DBR层，所述第一TOP DBR层包括重叠生长的多对第三复合层，第二TOP DBR层包括重叠生长的多对第四复合层。本发明公开了一种红光VCSEL芯片及其制备方法，利用复合DBR层，仅使用较少DBR的周期数就可获得高的反射率，从而降低因DBR材料晶格不匹配形成的应力和禁带差异引起的电阻，进而提升红光VCSEL的光电转换效率。