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一种超低损耗低端理想二极管

基本信息

申请号 CN202020206261.X 申请日 -
公开（公告）号 CN211557133U 公开（公告）日 2020-09-22
申请公布号 CN211557133U 申请公布日 2020-09-22
分类号 H02M1/088(2006.01)I;G06F1/26(2006.01)I 分类 发电、变电或配电;
发明人 陈石平;彭进双 申请（专利权）人 奥格科技股份有限公司
代理机构 深圳市创富知识产权代理有限公司 代理人 广州奥格智能科技有限公司
地址 510663广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种超低损耗低端理想二极管，包括组合逻辑控制电路和第一NMOS管，组合逻辑控制电路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻和第二电阻，第一NMOS管的漏极连接第二NMOS管的源极和电源负极，第一NMOS管的源极电连接第三NMOS管的源极，第一NMOS管的栅极电连接第三NMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极和第三NMOS管的栅极，第二NMOS管的漏极通过第一电阻接电源正极，第三NMOS管的漏极通过第二电阻接电源正极，负载接于电源正极和第一NMOS管的源极之间。本实用新型具有防止倒灌功能，可以保护前级电路，具有非常低的损耗，电路简单，实用性强。