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一种低损耗高端理想二极管

基本信息

申请号	CN202020206281.7	申请日	-
公开（公告）号	CN211557134U	公开（公告）日	2020-09-22
申请公布号	CN211557134U	申请公布日	2020-09-22
分类号	H02M1/088(2006.01)I;G06F1/26(2006.01)I	分类	发电、变电或配电;
发明人	陈石平;彭进双	申请（专利权）人	奥格科技股份有限公司
代理机构	深圳市创富知识产权代理有限公司	代理人	广州奥格智能科技有限公司
地址	510663广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种低损耗高端理想二极管，包括第一PMOS管、第二PMOS管、NMOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极均连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端均连接第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极，第一电阻的一端连接NMOS管的漏极，NMOS管的栅极通过第二电阻连接第一PMOS管的漏极，NMOS管的栅极通过第三电阻连接NMOS管的源极。本实用新型有益效果：根据要求使用同型号的双PMOS管或者对管，正向导通时，电流损耗为微安级，压差小，损耗很低，可以作为一个理想的二极管；反向截止时，电流损耗基本为0，可以忽略不计；加权平均电流损耗小于微安级，大大降低了设备的功耗，延长了电池的工作时间，降低了设备维护成本。