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一种低损耗防倒灌高端负载开关电路

基本信息

申请号	CN202020206642.8	申请日	-
公开（公告）号	CN211557239U	公开（公告）日	2020-09-22
申请公布号	CN211557239U	申请公布日	2020-09-22
分类号	H03K17/16(2006.01)I	分类	基本电子电路;
发明人	陈石平;彭进双	申请（专利权）人	奥格科技股份有限公司
代理机构	深圳市创富知识产权代理有限公司	代理人	广州奥格智能科技有限公司
地址	510663广东省广州市天河区高普路1029、1031号2楼
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种低损耗防倒灌高端负载开关电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极均连接第一电阻和第二电阻的一端，第一电阻的另一端分别连接第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极，第二电阻的另一端连接NMOS管的漏极，NMOS管的栅极通过第三电阻连接微处理器，NMOS管的源极通过第四电阻连接微处理器，NMOS管的源极接地。本实用新型有益效果：本实用新型低损耗防倒灌高端负载开关电路，根据不同需要使用不同型号的MOS管，使用高精度电阻R1、R2串联进行分压，控制双PMOS管的导通与截止，PMOS管和NMOS管属于电压器件，导通电流非常小，插入损耗小，可作为理想的低功耗防倒灌高端负载开关。