半导体器件

基本信息

申请号 CN201120332912.0 申请日 -
公开(公告)号 CN202196782U 公开(公告)日 2012-04-18
申请公布号 CN202196782U 申请公布日 2012-04-18
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 雷晗 申请(专利权)人 西安民展通讯科技有限公司
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人 黄灿;刘伟
地址 710075 陕西省西安市科技二路77号西安光电园A305、A308室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种半导体器件,包括:一晶体管,包括漂移区;一高压电阻,设置在所述漂移区的上方,高压电阻的两端分别与晶体管的漏极和栅极连接。将高压电阻与晶体管集成在一起,使得高压电阻不占用半导体器件的额外面积,在总体上减小了整个半导体器件的面积,从而降低了半导体器件的成本。