半导体器件
基本信息
申请号 | CN201120332912.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN202196782U | 公开(公告)日 | 2012-04-18 |
申请公布号 | CN202196782U | 申请公布日 | 2012-04-18 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 雷晗 | 申请(专利权)人 | 西安民展通讯科技有限公司 |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄灿;刘伟 |
地址 | 710075 陕西省西安市科技二路77号西安光电园A305、A308室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型提供一种半导体器件,包括:一晶体管,包括漂移区;一高压电阻,设置在所述漂移区的上方,高压电阻的两端分别与晶体管的漏极和栅极连接。将高压电阻与晶体管集成在一起,使得高压电阻不占用半导体器件的额外面积,在总体上减小了整个半导体器件的面积,从而降低了半导体器件的成本。 |
