一种高纯度结晶方法及结晶装置
基本信息
| 申请号 | CN202010573810.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111617512B | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN111617512B | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | B01D9/02（2006.01）I | 分类 | 一般的物理或化学的方法或装置; |
| 发明人 | 秦占岐 | 申请（专利权）人 | 河北鑫楠化工有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄轻拓知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李瑞妍 |
| 地址 | 054300河北省邢台市临城经济开发区中兴大街51号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高纯度结晶方法及结晶装置，属于结晶技术领域。将饱和溶液槽中溶解有某种溶质的饱和溶液降温形成过饱和溶液，将结晶附着机构伸入过饱和溶液中，结晶，晶体析出并沿结晶附着机构爬至液面以上，用刮离机构刮离液面以上附着于结晶附着机构上的晶体，此部分晶体即为所得晶体。装置包括由饱和溶液槽上端开口处伸入其内的结晶附着机构，及刮离机构。本发明方法及装置大大提高了所得晶体纯度，所得晶体纯度至少可达99.99％。 |
