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一种双向ESD保护电路

基本信息

申请号	CN202011546107.8	申请日	-
公开（公告）号	CN112448380A	公开（公告）日	2021-03-05
申请公布号	CN112448380A	申请公布日	2021-03-05
分类号	H02H9/04(2006.01)I	分类	发电、变电或配电;
发明人	胡利志	申请（专利权）人	成都思瑞浦微电子科技有限公司
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司	代理人	陈忠辉
地址	641400四川省成都市高新区天辰路88号3栋2单元201号
法律状态	-

摘要

本发明揭示了一种双向ESD保护电路，接设于芯片供电端的引脚PIN与接地端的引脚GND之间，由二极管D1、PMOS管MP1~MP5、电阻R1相接构成，其中PMOS管MP1、MP2的漏极、MP4的栅极与引脚PIN相连接，MP4的源极、漏极与MP2的栅极共连相接，PMOS管MP1的源极、MP3的漏极、MP5的栅极与二极管D1的阴极相接于节点Vminus，MP5的源极、漏极与MP3的栅极共连相接，二极管D1的阳极与引脚GND相接于地，且PMOS管MP2、MP3的共源极和所有PMOS管的衬底均相接于节点Vbody，电阻R1接入PMOS管MP1的栅极与节点Vbody之间。应用该ESD保护电路设计，在正向静电或负向静电产生时，能利用正向耐高压的二极管吸收正向静电，负向二极管分压限制；通过简单设计和较小的面积占用，提高了ESD保护的可靠性，有效避免芯片内部电路受损。