GaN HEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、设备专利查询专利号|摘要-满商公司网

GaN HEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、设备

基本信息

申请号	CN202210118917.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114582720A	公开（公告）日	2022-06-03
申请公布号	CN114582720A	申请公布日	2022-06-03
分类号	H01L21/308;H01L21/335;H01L29/778	分类	基本电气元件;
发明人	庞亚楠;陈敏;戴维;欧新华;袁琼;符志岗;邱星福;刘宗金	申请（专利权）人	上海芯导电子科技股份有限公司
代理机构	上海慧晗知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	徐海晟
地址	201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种GaNHEMT器件的栅极刻蚀方法，包括：刻蚀势垒层上的P型层；以所述第一图形化阻挡层为掩模，对所述第一P型层进行第一次刻蚀，对剩余的所述第一P型层暴露出来的侧面进行第一次化学处理；在剩余的所述P型层的表面形成第二图形化阻挡层；以所述第二图形化阻挡层为掩模，对所述第二P型层进行第二次刻蚀，形成台阶结构；对剩余的所述第二P型层暴露出来的侧面以及暴露出来的所述势垒层的表面进行第二次化学处理；既有效抑制了来自势垒层的电荷移动，又消除刻蚀过程中产生的P型层的侧壁缺陷和势垒层的表面缺陷，有效减少了漏电和向栅极的电荷转移，从而提高了阈值电压的稳定性和可靠性，解决了一定程度的长时间使用后会出现漂移现象。