具有通过粗化的改进的光提取的发光二极管(LED)
基本信息
| 申请号 | CN201210002738.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102593288A | 公开（公告）日 | 2012-07-18 |
| 申请公布号 | CN102593288A | 申请公布日 | 2012-07-18 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱振甫;郑好钧;樊峰旭;刘文煌;郑兆祯 | 申请（专利权）人 | 旭瑞光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 旭瑞光电股份有限公司;佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 地址 | 528222 广东省佛山市南海区狮山镇科教路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了用于通过在LED器件上形成n型掺杂氮化镓(n-GaN)层并且对所述n-GaN层的表面进行粗化以从所述LED器件的内部提取光来制造半导体发光二极管(LED)器件的系统和方法。 |
