一种高纯低密度ITO靶材及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210297220.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102826856B | 公开（公告）日 | 2014-02-26 |
| 申请公布号 | CN102826856B | 申请公布日 | 2014-02-26 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/457(2006.01)I;C04B35/01(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 钟小亮;王广欣;王树森 | 申请（专利权）人 | 苏州晶纯新材料有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 孙仿卫;汪青 |
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号留学生创业园D-102 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及高纯低密度ITO靶材及其制备方法，其纯度大于等于99.99%，相对密度为55%~65%，平均晶粒尺寸≤50微米，该靶材的制备方法包括（1）提供ITO粉末，并将其液压成型为坯件；（2）将坯件置于炉中烧结，炉内真空度为10-4~10-3Pa，首先以50~300℃/h的升温速率升至800℃~900℃，保温4~24小时后，充入氧气，然后以100~400℃/h的升温速率升至900℃~1500℃，保温4~24小时后以20~100℃/h的降温速率降至常温，即得。本发明ITO靶材可以在高温条件下蒸发，而后沉积在玻璃基片上，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜，甚至可以在有机材料上获得ITO导电膜。 |
