用于太阳电池制造的9腔体立式HWCVD-PVD一体化设备
基本信息
| 申请号 | CN201810941453.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110835743A | 公开（公告）日 | 2020-02-25 |
| 申请公布号 | CN110835743A | 申请公布日 | 2020-02-25 |
| 分类号 | C23C16/24;C23C16/54;C23C16/46;C23C14/56;C23C14/35;C23C14/08;H01L31/18 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 黄海宾;黄振;周浪;彭德香;任栋樑;刘超 | 申请（专利权）人 | 中智（泰兴）电力科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 张斌 |
| 地址 | 225400 江苏省泰州市泰兴市城东高新技术产业园区科创路西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于太阳电池制造的9腔体立式HWCVD‑PVD一体化设备，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设立式载板，立式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统。能有效避免产品制备过程工序暴露于空气，提升晶体硅异质结太阳电池的性能，降低其生产成本。 |
