在半导体互连结构上沉积金属层的方法
基本信息
| 申请号 | CN200380105587.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1947236A | 公开（公告）日 | 2007-04-11 |
| 申请公布号 | CN1947236A | 申请公布日 | 2007-04-11 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 桑德拉·马霍特拉;安德鲁·西蒙 | 申请（专利权）人 | 上海佑磁信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 朱海波 |
| 地址 | 上海市浦东新区南汇新城镇芦安路116号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于在半导体晶片的互连结构上沉积金属层的方法。在该方法中，金属导体由介电层覆盖。构图介电层以暴露金属导体。然后衬里层沉积在图形上。然后氩溅射刻蚀该衬里层以去除衬里层并露出金属导体。在氩溅射刻蚀工艺中，衬里层重新沉积在图形的侧壁上。最后，附加层沉积在图形中并且覆盖重新沉积的衬里层。 |
