一种支柱型深沟槽电容器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010774664.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111864065A | 公开（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申请公布号 | CN111864065A | 申请公布日 | 2020-10-30 |
| 分类号 | H01L49/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 麦志洪;洪锦文;孙晓龙;卢辉;何邦方;范中华 | 申请（专利权）人 | 上海佑磁信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 江苏坤象律师事务所 | 代理人 | 赵新民 |
| 地址 | 200120上海市浦东新区晨晖路1000号W2座203 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于硅衬底支柱结构提高电容量的深沟槽电容及其制备方法，涉及半导体技术领域，在所述衬底结构中心区域形成有多个支柱结构，所述支柱结构之间、支柱结构与衬底侧壁之间外表面之间形成深沟槽。本发明在现有硅基衬底上形成多个支柱型结构，支柱型结构外表面之间以及支柱型结构外表面与衬底侧壁之间形成深沟槽，大幅增加了电容器的表面积，从而大幅提高电容量。 |
