一种强化引晶温度信号的籽晶
基本信息
| 申请号 | CN201620209347.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN205590831U | 公开（公告）日 | 2016-09-21 |
| 申请公布号 | CN205590831U | 申请公布日 | 2016-09-21 |
| 分类号 | C30B11/14(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 马远;薛卫明;邱一豇;吴勇;周健杰 | 申请（专利权）人 | 江苏中电振华晶体技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京一格知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 滑春生 |
| 地址 | 226500 江苏省南通市如皋市如城镇海阳南路（南延）1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种强化引晶温度信号的籽晶，用于从下向上进行定向晶体生长，所述籽晶为籽晶上半部分的截面积大于籽晶下半部分的截面积结构，该结构是通过一圆柱形籽晶加工而成，所述圆柱形籽晶的上半部分保持不变，在圆柱形籽晶的下半部分以倾斜1～15°的角度平面切割去除部分材料，且籽晶的切割面为平面。本实用新型的优点在于：这种结构的籽晶，可获得明显的引晶温度信号，同时尽可能小的多晶生成区减少了引晶成多晶的可能性。 |
