一种MIM电容及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510415355.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105070707B | 公开（公告）日 | 2018-01-02 |
| 申请公布号 | CN105070707B | 申请公布日 | 2018-01-02 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马远;吴勇;周健杰 | 申请（专利权）人 | 江苏中电振华晶体技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京一格知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江苏中电振华晶体技术有限公司;江苏振华新云电子有限公司 |
| 地址 | 226500 江苏省南通市如皋市如城镇海阳南路（南延）1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种MIM电容，包括衬底，所述衬底为一蓝宝石单晶晶片，在其上表面和下表面均依次沉积有过渡层和金属层；一种上述MIM电容的制造方法，所述方法步骤具体如下：（1）将蓝宝石晶体通过单线切割或掏料钻钻取的方式加工成单晶晶棒；（2）将单晶晶棒在多线切割机上切割加工成单晶晶片；（3）将单晶晶片清洗干净后作为沉积衬底，在衬底两面先沉积过渡层；（4）再在过渡层的基础上沉积金属层；（5）以金属层作为电极，引出接线端；（6）完成上述MIM电容的封装。本发明的优点在于：蓝宝石作为介质材料，电阻率高、介电损耗小，抗电强度高；单晶结构一致使抗电强度Ep在材料内的分布均匀性非常好，没有击穿风险，提高了MIM电容的稳定性。 |
