一种IGBT过流保护方法和装置
基本信息
| 申请号 | CN201710136181.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107094007B | 公开（公告）日 | 2017-08-25 |
| 申请公布号 | CN107094007B | 申请公布日 | 2017-08-25 |
| 分类号 | H03K17/082(2006.01)I;H03K17/567(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 贺之渊;白建成;客金坤;许航宇;杨卫刚;冯静波;池浦田 | 申请（专利权）人 | 北京联研国芯技术有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网浙江省电力公司;北京联研国芯技术有限责任公司;国网浙江省电力有限公司 |
| 地址 | 102209北京市昌平区未来科技城滨河大道18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT过流保护方法和装置，该方法包括：实时获取所述IGBT开通后的集射电压；根据预存的保护电压与时间曲线获取当前时刻的保护电压；判断当前时刻实时获取的所述集射电压是否大于或等于当前时刻的所述保护电压；当所述集射电压大于或等于所述保护电压时，触发所述IGBT驱动保护。由此，实现了根据时间(时间对应IGBT的工作阶段)设置相应的保护电压，从而在快速保护的同时保证了检测的可靠性。 |
