首页/ 无锡力神微电子有限公司/ 专利详情

高性能MOSFET过压保护芯片

基本信息

申请号 CN202022371450.5 申请日 -
公开（公告）号 CN212934597U 公开（公告）日 2021-04-09
申请公布号 CN212934597U 申请公布日 2021-04-09
分类号 H01L23/31;H01L23/367;H01L23/467 分类 基本电气元件;
发明人 郭力 申请（专利权）人 无锡力神微电子有限公司
代理机构 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 代理人 任娜娜
地址 214000 江苏省无锡市滨湖区兴阳路9号12-502
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了高性能MOSFET过压保护芯片，包括芯片本体，所述芯片本体侧表面固定有接线针脚，所述芯片本体上固定有导热硅胶块，所述导热硅胶块内侧设置有凸块，所述凸块与芯片本体通过焊接固定，所述导热硅胶块上表面固定有导热铜片，所述导热铜片上一体成型有导热凸起，所述导热硅胶块上表面对应于导热凸起开设有第二通风孔；通过设置有导热硅胶块、导热铜片、第二通风孔、第一通风孔及凸块，便于避免芯片本体自身与外侧自然风接触面积小，自身散热效果差，便于提高风冷效果，通过设置有绝缘橡胶及微孔，便于避免两个接线针脚之间发生接触短路，便于对两个接线针脚进行隔绝。