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一种高性能MOSFET测试装置

基本信息

申请号 CN202022378996.3 申请日 -
公开（公告）号 CN213482374U 公开（公告）日 2021-06-18
申请公布号 CN213482374U 申请公布日 2021-06-18
分类号 G01R31/26（2014.01）I;G01R1/04（2006.01）I;H05K7/20（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 郭力 申请（专利权）人 无锡力神微电子有限公司
代理机构 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 代理人 王勇
地址 214000江苏省无锡市滨湖区兴阳路9号12-502
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种高性能MOSFET测试装置，包括测试装置主体，所述测试装置主体的端部安装有插孔，所述插孔的内部卡合安装有导线，所述导线的端部通过胶液粘合固定有紧固套，所述插孔的两侧位于所述测试装置主体的端部通过螺钉固定安装有柔性杆，所述柔性杆的端部通过螺钉固定安装有紧压板；通过在柔性杆的端部设计紧压板，和在连接块的端部设计卡销，避免测试装置在使用时导线端部与装置插合时不易紧固，拉紧时易松动，造成接触不良，可以在导线插合后通过柔性杆发生形变将紧压板紧压在紧固套的表面，紧压后将卡销卡合在卡槽的内部使得紧压板与连接块紧固安装，安装后使得紧固套与导线紧固，操作拉紧导线使用时不易松动，稳定使用。