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一种用于半导体封装的引线框架及其制备方法

基本信息

申请号 CN202011525742.8 申请日 -
公开（公告）号 CN112530896A 公开（公告）日 2021-03-19
申请公布号 CN112530896A 申请公布日 2021-03-19
分类号 H01L23/495(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 黎超丰;冯小龙;章新立;林渊杰;林杰 申请（专利权）人 宁波康强电子股份有限公司
代理机构 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 王玲华;洪珊珊
地址 315105浙江省宁波市鄞州投资创业中心金源路988号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种用于半导体封装的引线框架及其制备方法。本发明的引线框架包括框架本体和电镀层，所述框架本体的上表面具有若干微蚀槽，各微蚀槽内均填充有上述电镀层，所述电镀层的厚度与微蚀槽的厚度相同。本发明的引线框架通过先微蚀后电镀的方式，在框架本体上形成下凹的微蚀槽，使电镀层形成于微蚀槽内，通过微蚀和电镀工艺的合理控制，既可减小引线框架的厚度，有利于半导体封装的薄型化生产，还可起到保护电镀层的作用，从而更好地保证可焊性和产品合格率。