高密度半导体封装结构的封装方法

基本信息

申请号 CN201210199943.2 申请日 -
公开(公告)号 CN103515257A 公开(公告)日 2014-01-15
申请公布号 CN103515257A 申请公布日 2014-01-15
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 曹凯;王利明 申请(专利权)人 智瑞达科技(苏州)有限公司
代理机构 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 杨林洁
地址 215126 江苏省苏州市工业园区长阳街133号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种高密度半导体封装结构的封装方法。包括如下步骤:S1、提供基板,具有焊盘;S2、提供至少一裸片,具有电极焊垫,将所述至少一裸片粘贴至基板上;S3、形成油墨走线,自S2步骤提供的裸片的电极焊垫引出并向下延伸至焊盘;S4、再次提供至少一裸片,具有电极焊垫,并将该至少一裸片粘贴至已被粘贴且位于基板上方的顶层的裸片;S5、再次形成油墨走线,自与S4步骤提供的裸片的电极焊垫引出并向下延伸至与S4步骤提供的裸片相邻且位于下层已形成的油墨走线或者焊盘上。本发明具有尺寸小、厚度薄、高密度、多引脚的优点的高密度半导体封装结构,同时工艺简单、周期短、环保且容易实现。