一种二元高镍单晶正极材料及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010797566.7 申请日 -
公开(公告)号 CN114068912A 公开(公告)日 2022-02-18
申请公布号 CN114068912A 申请公布日 2022-02-18
分类号 H01M4/525(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;C30B29/22(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 柯长轩;赵雪敏;李梦媛;张小慧;石慧;何宇雷;谭欣欣 申请(专利权)人 巴斯夫杉杉电池材料有限公司
代理机构 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 魏龙霞
地址 410205湖南省长沙市长沙高新开发区麓谷麓天路17-8
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种二元高镍单晶正极材料,其一次颗粒粒径为1.1~1.8μm,二次颗粒粒径D50为3.0~8.0μm。其制备方法包括:按照化学计量比,将镍钴二元前驱体、锂源、含元素X的第一添加剂混匀,然后进行烧结,一烧产物与含元素M的第二添加剂混匀,然后再烧结,得到二元高镍单晶正极材料。本发明的镍钴酸锂二元高镍单晶正极材料,其一次粒径范围在1.1~1.8μm,与常规同等Ni含量下NCM三元高镍单晶材料比,保持了单晶的低产气、高安全的性能;且在电池充放电过程中,在3.4~3.5V之间出现新的放电平台,使其具有常规三元单晶难以达到的高首次效率,高放电容量,具有优异的倍率性能。